[发明专利]有机发光装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201610815875.6 | 申请日: | 2016-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN106654024B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
| 发明(设计)人: | 河在国 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: |
本发明涉及有机发光装置及其制造方法。有机发光装置包括:第一电极;面对第一电极的第二电极;在第一电极和第二电极之间的发光层;在第一电极和发光层之间的空穴传输区;和在发光层和第二电极之间的电子传输区,所述电子传输区包括电子辅助层,其中所述空穴传输区包括选自以下的至少一种共聚物:i)第一化合物和第二化合物的第一共聚物和ii)第三化合物和第四化合物的第二共聚物,其中第一化合物和第二化合物各自独立地选自由式1表示的化合物,且第三化合物和第四化合物各自独立地选自由式2表示的化合物,并且其中电子辅助层包括金属氧化物。 |
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| 搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光装置,其包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区;和在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区,所述电子传输区包括电子辅助层,其中所述空穴传输区包括选自以下的至少一种共聚物:i)第一化合物和第二化合物的第一共聚物和ii)第三化合物和第四化合物的第二共聚物,其中所述第一化合物和所述第二化合物各自独立地选自由式1表示的化合物,且所述第三化合物和所述第四化合物各自独立地选自由式2表示的化合物,并且其中所述电子辅助层包括金属氧化物:式1式2其中,在式1和2中:L1至L3和L11至L13各自独立地选自取代的或未取代的C3‑C10亚环烷基、取代的或未取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10亚环烯基、取代的或未取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60亚芳基、取代的或未取代的C1‑C60亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团;a1至a3和a11至a13各自独立地为选自0至3的整数;R1至R3和R11至R13各自独立地选自由式A至D表示的基团、氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C2‑C60烯基、取代的或未取代的C2‑C60炔基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C1‑C10杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10环烯基、取代的或未取代的C1‑C10杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C1‑C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团和‑Si(Q1)(Q2)(Q3);自独立地选自氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、取代的或未取代的C1‑C60烷基、取代的或未取代的C2‑C60烯基、取代的或未取代的C2‑C60炔基、取代的或未取代的C1‑C60烷氧基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C1‑C10杂环烷基、取代的或未取代的C3‑C10环烯基、取代的或未取代的C1‑C10杂环烯基、取代的或未取代的C6‑C60芳基、取代的或未取代的C6‑C60芳氧基、取代的或未取代的C6‑C60芳硫基、取代的或未取代的C1‑C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团和‑Si(Q1)(Q2)(Q3);b1至b3和b11至b13各自独立地为选自1至5的整数,其中当b1为2或更大时,多个R1任选地连接以形成饱和或不饱和环,当b2为2或更大时,多个R2任选地连接以形成饱和或不饱和环,当b3为2或更大时,多个R3任选地连接以形成饱和或不饱和环,当b11为2或更大时,多个R11任选地连接以形成饱和或不饱和环,当b12为2或更大时,多个R12任选地连接以形成饱和或不饱和环,且当b13为2或更大时,多个R13任选地连接以形成饱和或不饱和环;选自R1至R3中的至少一个为由式A表示的基团,选自R11至R13中的至少一个为由式B至D中的一个表示的基团;以及所述取代的C3‑C10亚环烷基、取代的C1‑C10亚杂环烷基、取代的C3‑C10亚环烯基、取代的C1‑C10亚杂环烯基、取代的C6‑C60亚芳基、取代的C1‑C60亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的C1‑C60烷基、取代的C2‑C60烯基、取代的C2‑C60炔基、取代的C1‑C60烷氧基、取代的C3‑C10环烷基、取代的C1‑C10杂环烷基、取代的C3‑C10环烯基、取代的C1‑C10杂环烯基、取代的C6‑C60芳基、取代的C6‑C60芳氧基、取代的C6‑C60芳硫基、取代的C1‑C60杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团中的至少一个取代基选自由以下组成的组:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、和C1‑C60烷氧基,各自被选自以下的至少一个取代的C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、和C1‑C60烷氧基:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、‑Si(Q11)(Q12)(Q13)、‑N(Q14)(Q15)和‑B(Q16)(Q17),C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,各自被选自以下的至少一个取代的C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基:氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、C1‑C60烷氧基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C6‑C60芳氧基、C6‑C60芳硫基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、‑Si(Q21)(Q22)(Q23)、‑N(Q24)(Q25)和‑B(Q26)(Q27),以及‑Si(Q31)(Q32)(Q33)、‑N(Q34)(Q35)和‑B(Q36)(Q37),其中Q1至Q3、Q11至Q17、Q21至Q27、和Q31至Q37各自独立地选自氢、氘、‑F、‑Cl、‑Br、‑I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1‑C60烷基、C2‑C60烯基、C2‑C60炔基、C1‑C60烷氧基、C3‑C10环烷基、C1‑C10杂环烷基、C3‑C10环烯基、C1‑C10杂环烯基、C6‑C60芳基、C1‑C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





