[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201610815844.0 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106558591B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李昌炫;李宪奎;姜信焕;朴泳雨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11597 | 分类号： | H01L27/11597;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种三维(3D)半导体器件，其包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的电极；沟道结构，结合到电极以构成在基底上三维布置的多个存储器单元，沟道结构包括穿过堆叠结构的第一竖直沟道和第二竖直沟道以及设置在堆叠结构下面以使第一竖直沟道和第二竖直沟道彼此横向连接的第一水平沟道；第二水平沟道，具有第一导电类型并且连接到沟道结构的第一水平沟道的侧壁；导电塞，具有第二导电类型并且设置在第二竖直沟道的顶端上。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种三维半导体器件，所述三维半导体器件包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的电极；沟道结构，结合到所述电极，以构成在基底上三维布置的多个存储器单元，所述沟道结构包括：第一竖直沟道和第二竖直沟道，穿过堆叠结构；第一水平沟道，位于堆叠结构下面，并且将第一竖直沟道和第二竖直沟道彼此横向连接；第二水平沟道，连接到沟道结构的第一水平沟道的侧壁，所述第二水平沟道具有第一导电类型；以及导电塞，位于第二竖直沟道的顶端上，所述导电塞具有第二导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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