[发明专利]一种发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201610813186.1 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106449901B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;叶青贤;李俊生;闫晓红 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，属于光电子制造技术领域。该方法包括在生长衬底上依次形成外延层和保护层，在保护层上形成若干延伸至衬底的凹槽，在保护层的保护下，通过凹槽对外延子层进行腐蚀，去除保护层，将露出的外延子层键合在转移衬底上，去除生长衬底，通过在外延层上形成保护层，在保护层上形成延伸至衬底的凹槽，将外延层分成相互独立的外延子层，并通过凹槽对外延子层进行腐蚀，使外延子层的侧面与外延子层的底面的夹角为直角或钝角，在将外延子层键合在转移衬底上并去除生长衬底之后，外延子层露出的夹角为直角或钝角，不容易受到损伤，从而提高了LED芯片的外观良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在生长衬底上依次形成外延层和保护层；在所述保护层上形成若干延伸至所述衬底的凹槽，若干所述凹槽将所述外延层分成若干相互独立的外延子层；在所述保护层的保护下，通过所述凹槽对所述外延子层进行腐蚀，使得所述外延子层的侧面与所述外延子层的底面的夹角为直角或钝角，所述外延子层的底面为与所述生长衬底接触的表面；去除所述保护层，露出所述外延子层；将露出的所述外延子层键合在转移衬底上；去除所述生长衬底。
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