[发明专利]一种N型双面电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种N型双面电池的制作方法，包括：步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层。通过将完成正面硼扩散和背面磷扩散的N型硅片进行热氧化，再背面PECVD镀SiNx层，使得背面的总的钝化层为SiOx层加SiNx层，优化太阳能电池的背面钝化效果,增大开压和短路电流,使得电池的转换效率有所提升。

主权项

1.一种N型双面电池的制作方法，其特征在于，包括：步骤1，对碱制绒后的N型硅片进行正面硼扩散，形成硼硅玻璃掩膜，并刻蚀去除背结；步骤2，对所述N型硅片的背面进行磷扩散，形成磷硅玻璃层；步骤3，去除所述硼硅玻璃掩膜和所述磷硅玻璃层；步骤4，对所述N型硅片进行热氧化；步骤5，对热氧化后的所述N型硅片的背面进行PECVD镀SiNx层；步骤6，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层；步骤7，对所述N型硅片的正面镀正面钝化层；所述去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层，包括：将热氧化后的所述N型硅片浸泡在体积比为10％的HF中浸泡1min～1.5min，去除所述N型硅片的正面在所述热氧化中形成的氧化硅层。