[发明专利]一种高一致性阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610809598.8 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106229407B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;王宗巍;黄如;康健;方亦陈;喻志臻;杨雪 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高一致性的阻变存储器件及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的下电极‑阻变薄膜‑上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。本发明阻变存储器的到底通道更加容易在局域化掺杂的区域形成熔断，从而将导电通道的随机产生与熔断限定在局部掺杂的区域内，有效降低了导电通道的随机性，从而提高阻变存储器的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一致性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底和位于衬底上的下电极‑阻变薄膜‑上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜采用阻变特性的过渡金属氧化物，所述阻变薄膜局部掺杂金属，所述掺杂金属为元素序数大于阻变薄膜的金属氧化物中金属的元素序数，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％，所述掺杂区域位于器件工作区域的中心位置。
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