[发明专利]Ta/W混配型杂多酸，制备方法及其在酸催化和质子导电中的应用有效
| 申请号： | 201610808988.3 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106362796B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李书军;彭清坡;陈学年;翟建新;张絜 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | B01J31/18 | 分类号： | B01J31/18;B01J27/195;C01G41/00;C07C41/56;C07C43/307;C07D317/12 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ta/W混配型杂多酸，制备方法及其在酸催化和质子导电中的应用，属于无机合成及酸催化技术领域。本发明的技术方案要点为：Ta/W混配型杂多酸的分子式为H20[P8W60Ta12(H2O)4(OH)8O236]·125H2O，由1个四聚的Ta/W混配型杂多阴离子、20个质子和125个结晶水分子组成，乙腈中以二苯基壬四烯铜为指示剂测得该Ta/W混配型杂多酸的Hammett酸强度为‑2.91。本发明还公开了该Ta/W混配型杂多酸的制备方法及其在酸催化和质子导电中的应用。本发明制得的Ta/W混配型杂多酸是目前已知的杂多酸中酸性最强的，这种强酸性能使得Ta/W混配型杂多酸具有较高的酸催化活性；制得的Ta/W混配型杂多酸的固态结构中存在大量的氢键，并进一步形成氢键网络，因此该混配型杂多酸具有较强的质子导电能力。 | ||
| 搜索关键词： | ta 混配型 杂多 制备 方法 及其 催化 质子 导电 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.Ta/W混配型杂多酸，其特征在于：该Ta/W混配型杂多酸的分子式为H20[P8W60Ta12(H2O)4(OH)8O236]·125H2O，由1个四聚的Ta/W混配型杂多阴离子、20个质子和125个结晶水分子组成，乙腈中以二苯基壬四烯铜为指示剂测得该Ta/W混配型杂多酸的Hammett酸强度为‑2.91。
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