[发明专利]一种掩模板、采用其制备下基板的方法和该方法的应用在审
申请号: | 201610808968.6 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN106444274A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 周国富;吴昊;李发宏;罗伯特·安德鲁·海耶斯 | 申请(专利权)人: | 深圳市国华光电科技有限公司;华南师范大学;深圳市国华光电研究院 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G02B26/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人: | 唐致明 |
地址: | 518110 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模板、采用其制备下基板的方法和该方法的应用,掩模板包括掩模板主体,掩模板主体上设有透光区域和遮光区域,透光区域的图案与像素墙图案相同,遮光区域为多个呈阵列排列的离散区域,每个遮光区域的边缘区域设有减弱透光量结构;通过设置减弱透光量结构,将掩模板用于制备下基板,遮光区域的边缘区域的曝光量小于透光区域,使用负性光刻胶,曝光量的减小会使得像素墙的壁的横截面形状为倒梯形,在填充的液体的表面张力和倒梯形形成的毛细管力的作用下,填充的液体会铺展在所述像素墙形成的凹陷内,并且倒梯形的像素墙上表面边缘可以有效阻止液体填充后流入相邻像素格,能够实现液体的均匀填充。 | ||
搜索关键词: | 一种 模板 采用 制备 下基板 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种掩模板,包括掩模板主体,所述掩模板主体上设有透光区域和遮光区域,其特征在于,所述透光区域的图案与像素墙图案相同,所述遮光区域为多个呈阵列排列的离散区域,每个所述遮光区域的边缘区域设有减弱透光量结构。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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