[发明专利]一种薄晶体硅电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201610807894.4 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106356413A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张范;金井升;蒋方丹;金浩;郑霈霆 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄晶体硅电池及其制备方法，其中，制备方法包括步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。通过丝网印刷B浆，在背电极处形成局域扩散，形成同型重掺杂区，提高短路电流密度、开路电压及电池效率；再丝网印刷点状Ag电极、点状Al电极，避免了激光开槽产生的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄晶体硅电池制备方法，其特征在于，包括：步骤1，对完成正面磷掺杂的硅片的背面印刷点状B浆，形成点状B扩散源；步骤2，对所述硅片的背面进行B扩散，形成硼硅玻璃层，使得所述硅片的背面局部重掺杂；步骤3，去除所述硅片上的所述硼硅玻璃层；步骤4，在所述硅片的背面印刷点状Ag电极，并烘干；步骤5，对所述Ag电极面镀Al2O3钝化层；步骤6，对所述Al2O3钝化层的表面采用PECVD法镀SiNx膜；步骤7，在所述硅片的背面的SiNx膜上印刷点状Al电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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