[发明专利]一种无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法有效

专利信息
申请号: 201610806771.9 申请日: 2016-09-07
公开(公告)号: CN106374047B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 杨盼;杨丽军;赵晓冲;王劲川;杨蕊竹 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院材料研究所
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/44;H01L51/46
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 刘华平
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法,包括:(1)将SnX2溶于有机溶剂中,磁力搅拌至完全溶解;(2)加入CsX混合,于避光条件下搅拌,获得CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿前驱体溶液;(3)对衬底材料进行超声清洗,用氮气吹干;(4)将衬底材料置于紫外臭氧清洗仪中照射处理;(5)将CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿前驱体溶液平铺在衬底材料表面,然后旋涂;(6)将旋涂后的材料加热保温一定时间后,冷却至室温,即得CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿薄膜。本发明制备的CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿薄膜稳定性好、成本低廉、设备要求低,并且绿色无污染,因而非常适合用于大规模产业化生产。
搜索关键词: 一种 环保 无机 卤化物 钙钛矿 薄膜 化学合成 方法
【主权项】:
1.一种无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将SnX2溶于有机溶剂中,并磁力搅拌至完全溶解,溶解度为0.1~5mol/L;所述的X为卤素元素I、Br、Cl中的一种或多种;(2)加入CsX混合,并于50~100℃、避光条件下搅拌2~24小时,获得CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿前驱体溶液;所述CsX与SnX2的摩尔质量比为1~2∶1;(3)对衬底材料进行超声清洗,然后用氮气吹干;(4)将吹干后的衬底材料置于紫外臭氧清洗仪中照射处理10~60分钟;(5)将50μL~150μL的CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿前驱体溶液平铺在衬底材料表面,旋涂5~50秒,旋涂速度为3000~8000转/秒;(6)将旋涂后的材料于50~150℃条件下加热10~100分钟,然后冷却至室温,即得可用作光伏电池的吸收层材料的CsSnX3/Cs2SnX6无机非铅卤化物钙钛矿薄膜;所述有机溶剂为DMF、DMSO、乙醚、异丙醇中的任意一种。
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