[发明专利]一种肖特基接触及其制备方法在审
| 申请号： | 201610803653.2 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106298889A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;吕加兵 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/28 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种肖特基接触及其制备方法，所述肖特基接触包括p‑InP衬底、绝缘介质层和电极金属层，所述p‑InP衬底上生长有欧姆接触金属层，所述绝缘介质层为MoO3。制备时，先在p‑InP衬底上生长欧姆接触金属形成外围环形电极；然后在p‑InP衬底上沉积3～4nm厚的MoO3层；最后在MoO3层上沉积阳极电极。本发明利用MoO3作为绝缘介质层，肖特基接触会有明显的势垒增强效应，从而可以有效的避免p‑InP材料的费米能级钉扎效应继而实现Al/p‑InP肖特基接触更好的整流特性；且在310K温度下的理想因子却依旧在2.2以下，相比于其他介质层材料在同等的势垒增强条件下有更小的理想因子，从而使相应的肖特基器件具有更好的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基接触，其特征在于：包括p‑InP衬底、绝缘介质层和电极金属层，所述p‑InP衬底上生长有欧姆接触金属层，所述绝缘介质层为MoO3。
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