[发明专利]使铌氮氧化物层生长的方法在审
| 申请号： | 201610802484.0 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106552659A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 菊地谅介;中村透;田村聪;村濑英昭;羽藤一仁 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C23C14/06;C23C14/34;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供使具有小的载流子密度的铌氮氧化物层生长的方法。本发明为使铌氮氧化物层生长的方法，该方法具备以下工序：工序(a)，一边将结晶性氧化钛基板的温度维持为600℃以上且750℃以下，一边使第1铌氮氧化物膜在所述结晶性氧化钛基板上生长；和工序(b)，在所述工序(a)之后，一边将所述结晶性氧化钛基板的温度维持为350℃以上，一边使第2铌氮氧化物膜在所述第1铌氮氧化物膜上生长。在此，所述铌氮氧化物层具备所述第1铌氮氧化物膜和所述第2铌氮氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 使铌氮 氧化物 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种使铌氮氧化物层生长的方法，具备工序(a)和工序(b)，工序(a)：一边将结晶性氧化钛基板的温度维持为600℃以上且750℃以下，一边使第1铌氮氧化物膜在所述结晶性氧化钛基板上生长；工序(b)：在所述工序(a)之后，一边将所述结晶性氧化钛基板的温度维持为350℃以上，一边使第2铌氮氧化物膜在所述第1铌氮氧化物膜上生长，其中，所述铌氮氧化物层具备所述第1铌氮氧化物膜和所述第2铌氮氧化物膜。
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