[发明专利]一种石墨件表面沉积碳化硅的方法及装置

摘要

本发明公开了一种石墨件表面沉积碳化硅的方法，包括如下步骤：(1)石墨表面除杂：首先将石墨件表面的杂质通过形成金属卤化物升华除去；(2)CVD沉积：将处理后的石墨件送入CVD反应炉，通过化学气相沉积反应在石墨件表面沉积碳化硅涂层。本发明通过在CVD反应炉之前设置预处理炉，将石墨件含有的金属杂质通过与卤族气体反应形成金属氯化物升华除去，有利于纯化石墨件，避免其含有的杂质带入后续的系统。另外，通过超声清洗，进一步清洁石墨件的表面，避免附着的颗粒物存在影响碳化硅涂层的结合强度。

主权项

1.一种石墨件表面沉积碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）石墨表面除杂：首先将石墨件表面的杂质通过形成金属卤化物升华除去；其中，石墨表面除杂的具体步骤为：1）将待处理石墨件基材放入炉筒内并关闭炉筒，抽真空置换，使真空度维持在0.1‑1mbar；2）炉筒内加热器加热至500‑800℃，开始通入氮气至真空度50‑80mbar；3）持续升温至1500‑1800℃，通入卤族气体至真空度0.9‑1.2bar，维持1500‑1800℃若干分钟；4）继续升温至1900‑2200℃，维持1900‑2200℃纯化2~12小时后，缓慢降温；5）降温至1500‑1800℃，停止通入卤族气体，并维持1500‑1800℃若干分钟；6）在保持通入氮气的情况下使真空度持续降低，继续降温至500‑800℃时炉内真空度降至50‑80mbar，停止通入氮气；7）抽真空至0.1‑1mbar，再通入氮气至0.9‑1.2bar；8）开炉取出石墨件基材，进行清洗并干燥后待用；（2）CVD沉积：将处理后的石墨件送入CVD反应炉，通过化学气相沉积反应在石墨件表面沉积碳化硅涂层。