[发明专利]一种QLED及其制备方法在审
| 申请号： | 201610801474.5 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN106159108A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED及其制备方法。制备方法包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含一层用于增大功函数的界面修饰层。本发明通过在阴极中增加一层界面修饰层，从而增加电极的功函数，增加注入势垒，使得电子空穴在量子点发光层能更好的平衡，增加有效复合概率，从而增强QLED发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种QLED的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、在基板表面依次沉积一层空穴注入层和空穴传输层；步骤B、在空穴传输层表面沉积量子点发光层；步骤C、在量子点发光层表面依次沉积电子传输层和电子注入层；步骤D、将沉积完各功能层的基板上制作阴极，其中，所述阴极包含用于增大功函数的界面修饰层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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