[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示器技术领域，该阵列基板包括一种传输门结构，所述传输门结构由下至上依次包括：位于衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的且完全覆盖所述第一栅极的第一栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层之上的、与所述第一栅极相对的第一有源层，位于所述第一有源层之上的绝缘层，位于所述绝缘层之上的、通过位于所述绝缘层的过孔实现与所述第一有源层电连接的源漏极层，位于所述源漏极层之上的第二有源层，位于所述第二有源层之上的且完全覆盖所述第二有源层的第二栅极绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层之上的、与所述第二栅极相对的第二栅极。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括一种传输门结构，所述传输门结构由下至上依次包括：位于衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的且完全覆盖所述第一栅极的第一栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层之上的、与所述第一栅极相对的第一有源层，位于所述第一有源层之上的绝缘层，位于所述绝缘层之上的、通过位于所述绝缘层的过孔实现与所述第一有源层电连接的源漏极层，位于所述源漏极层之上的第二有源层，位于所述第二有源层之上的且完全覆盖所述第二有源层的第二栅极绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层之上的、与所述第二栅极相对的第二栅极；其中，所述绝缘层包括刻蚀阻挡层和/或平坦层；当所述绝缘层包括刻蚀阻挡层和平坦层时，所述刻蚀阻挡层位于所述第一有源层之上，所述平坦层位于所述刻蚀阻挡层之上；所述平坦层的材质包括有机材料；所述刻蚀阻挡层的材质包括硅的氮化物和/或硅的氧化物。