[发明专利]一种痕量分析方法及其前处理方法

摘要

本发明公开了一种痕量分析方法及其前处理方法，包括：将被检物固定在旋转工件台上；抽取真空直到真空度高于6×10^‑3Pa；利用电磁线圈产生高频高压，利用阴极钨丝产生辉光放电，通入惰性气体在高频高压下电离分解产生第一等离子体；通过引出、成束、加速、中和将第一等离子体形成为第一离子束，即低能清洗离子束，其中，使用多孔屏栅将第一等离子体引出、成束形成为第一离子束，使用加速栅对第一离子束加速，使用浸没式中和阴极发射电子对第一离子束进行中和形成中性离子束；采用第一离子束轰击工件台上的被检物，第一离子束的能量为200～600eV，轰击时间为30～300s。本发明还公开了一种采用上述前处理方法的痕量分析方法。

主权项

1.一种痕量分析方法，包括：将被检物固定在旋转工件台上；抽取真空，先采用机械泵粗抽真空，再采用分子泵细抽真空，直到真空度高于6×10‑3Pa；利用电磁线圈产生高频高压，利用阴极钨丝产生辉光放电，通入惰性气体，这些惰性气体在高频高压下电离分解产生第一等离子体，其中惰性气体包括氦、氖、氩、氪或氙；通过引出、成束、加速、中和将第一等离子体形成为第一离子束即低能清洗离子束，其中，使用多孔屏栅将第一等离子体引出、成束形成为第一离子束，使用加速栅对第一离子束加速，使用浸没式中和阴极发射电子对第一离子束进行中和形成中性离子束；采用第一离子束轰击工件台上的被检物，对被检物进行彻底、精准、无损伤的清洗，确保痕量分析的准确性，第一离子束的能量为200～600eV，轰击时间为30～300s；在固定在工件台上的被检物上涂抹光刻胶层；采用掩模板对光刻胶层进行曝光和显影，掩模板上带有开口的图形；进行清洗并形成带有开口的光刻胶，光刻胶完全覆盖工件台表面而被检物从所述开口处露出；产生第二等离子体，并将第二等离子体形成为第二离子束，即高能轰击离子束；采用第二离子束轰击光刻胶，使得开口处暴露出来的被检物所含原子溅射出来，第二离子束的能量为600～1000eV，轰击时间为60～480s；从真空仓抽气孔抽出含有被检物原子的气体进行光谱分析从而获取被检物所含的微量元素。