[发明专利]一种高效PERC晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺在审
申请号: | 201610795855.7 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106328765A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 黄金;王继磊;付少剑;张娟 | 申请(专利权)人: | 晋能清洁能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306;H01L21/228 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司32107 | 代理人: | 夏哲华 |
地址: | 033000 *** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高效PERC晶体硅太阳能电池的制备工艺及方法。依次包括制绒、扩散、刻蚀,镀Al2O3、镀背面SiNx、镀正面SiNx、丝网印刷、烧结步骤,其特征在于:所述制绒和扩散之间还进行酸抛光或碱抛光,所述扩散包括双面扩散和单面扩散,所述镀背面SiNx和镀正面SiNx之间进行激光开槽或开孔。通过双面扩散磷吸杂吸除过渡金属杂质,削减缺陷的电子学效应,减少少数载流子的复合,从而提高少子寿命,实现转换效率的进一步提高,使双面扩散结合酸抛光或碱抛光的方式很好的进行配合,同时通过背面扩散制结,解决电池片刻蚀后镀膜均匀性的问题,从而改善背面渡膜的外观,在成本可控范围内实现PERC电池效率的大幅度提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 perc 晶体 太阳能电池 制备 方法 工艺 | ||
【主权项】:
一种高效PERC晶体硅太阳能电池的制备方法,依次包括制绒、扩散、刻蚀,镀Al2O3、镀背面SiNx 、镀正面SiNx 、丝网印刷、烧结步骤,其特征在于:所述制绒和扩散之间还进行酸抛光或碱抛光,所述扩散包括双面扩散和单面扩散,所述镀背面SiNx 和镀正面SiNx之间进行激光开槽或开孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晋能清洁能源科技有限公司,未经晋能清洁能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610795855.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的