[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供形成有包括第一、第二、第三、第四、第五沟槽区域的沟槽的半导体衬底，第二沟槽区域的宽度大于第一沟槽区域的宽度，第一沟槽区域的宽度大于第三、第四和第五沟槽区域的宽度；形成第一绝缘层，填满第三和第五沟槽区域；依次形成第一多晶硅层和第二绝缘层后，依次去除多余的第二绝缘层和第一多晶硅层；形成第三绝缘层后，去除多余的上述绝缘层，使第一多晶硅层的顶部高于第一和第二绝缘层的顶部；形成栅氧化物层后，在其上形成第二多晶硅层；去除多余的第二多晶硅层，露出位于衬底表面的栅氧化物层及第二绝缘层的顶部。根据本发明，产品表面没有台阶，降低后续光刻、腐蚀工艺的实施难度。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽区域、第二沟槽区域、第三沟槽区域、将第一沟槽区域和第二沟槽区域连通的第四沟槽区域、以及将第二沟槽区域和第三沟槽区域连通的第五沟槽区域，所述第二沟槽区域的宽度大于所述第一沟槽区域的宽度，所述第一沟槽区域的宽度大于所述第三沟槽区域、第四沟槽区域和第五沟槽区域的宽度；/n在所述半导体衬底上形成第一绝缘层，以确保填满所述第三沟槽区域和第五沟槽区域，且所述第一沟槽区域、第二沟槽区域和第四沟槽区域的侧壁形成有所述第一绝缘层但未填满所述第一沟槽区域、第二沟槽区域和第四沟槽区域；/n在所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层，以确保填满所述第一沟槽区域和所述第四沟槽区域，所述第二沟槽区域未填满，且所述第一沟槽区域内的第一多晶硅层与所述第二沟槽区域内的第一多晶硅层相连；/n在所述第一多晶硅层上形成第二绝缘层，以确保填满所述第二沟槽区域；/n去除多余的所述第二绝缘层，直至露出所述第一多晶硅层；/n去除多余的所述第一多晶硅层，留下的第一多晶硅层构成第一电极，所述第一电极包括在所述第一沟槽区域内的底部留下的柱状第一多晶硅层与在所述第二沟槽区域内的底部留下的桶状第一多晶硅层，所述柱状第一多晶硅层与所述桶状第一多晶硅层相连接；/n在所述半导体衬底上形成第三绝缘层，以确保填满所述第一沟槽区域、第二沟槽区域和第四沟槽区域的未填充部分；/n去除多余的所述第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层，以使所述第一多晶硅层的顶部高于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的顶部；/n在所述半导体衬底上形成栅氧化物层，所述沟槽露出的侧壁上以及所述第一多晶硅层上，均形成有所述栅氧化物层；/n在所述栅氧化物层上形成第二多晶硅层，以填满所有所述沟槽；/n去除多余的所述第二多晶硅层，露出位于所述半导体衬底表面的栅氧化物层以及所述第二绝缘层的顶部，留下的第二多晶硅层构成第二电极，所述第二电极包括在所述第一沟槽区域内的上部留下的柱状第二多晶硅层、在所述第二沟槽区域内的上部留下的环状第二多晶硅层与在所述第三沟槽区域内的上部留下的柱状第二多晶硅层，且三者相连接。/n