[发明专利]用于气隙形成的多阻挡件沉积有效
| 申请号： | 201610784931.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106711084B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 林翔伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种方法，包括：在介电层中形成第一导线和第二导线，蚀刻部分介电层以在第一导线与第二导线之间形成沟槽，以及形成第一蚀刻停止层。第一蚀刻停止层延伸进入沟槽中。在第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层。第二蚀刻停止层延伸进入沟槽中，并且第二蚀刻停止层比第一蚀刻停止层更加共形。将介电材料填充到沟槽中并且至第二蚀刻停止层上方。在介电材料中形成气隙。本发明的实施例还提供了用于气隙形成的多阻挡件沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 阻挡 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在介电层中形成第一导线和第二导线；蚀刻所述介电层的一部分以在所述第一导线与所述第二导线之间形成沟槽；形成第一蚀刻停止层，其中，所述第一蚀刻停止层延伸进入所述沟槽中，其中，所述第一蚀刻停止层包括具有第一厚度的第一竖直部分、以及具有第二厚度的第一水平部分；在所述第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻停止层延伸进入所述沟槽中，并且所述第二蚀刻停止层包括具有第三厚度的第二竖直部分、以及具有第四厚度的第二水平部分，并且所述第三厚度与所述第四厚度的第一比率大于所述第一厚度与所述第二厚度的第二比率；以及将介电材料填充到所述沟槽中并且至所述第二蚀刻停止层上方，其中，在所述介电材料中形成气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
