[发明专利]一种沟槽肖特基二极管及其制备方法有效
申请号: | 201610780472.2 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106129126A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 高盼盼;代萌 | 申请(专利权)人: | 上海格瑞宝电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
代理公司: | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人: | 王瑞 |
地址: | 201203 上海市徐汇区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种沟槽肖特基二极管,包括沟槽,且所述沟槽的侧壁外侧设有N型注入区,且所述沟槽的底部设有P型注入区。发明给出了一种沟槽肖特基二极管(TMBS)结构及其制造方法。相对于常规TMBS:其提高了耐压、减小了正向压降、提高了开关速度、减小了反向电容。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种沟槽肖特基二极管,其特征在于,包括沟槽,且所述沟槽的侧壁外侧设有N型注入区,且所述沟槽的底部设有P型注入区。
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