[发明专利]磁芯及其制造方法有效
| 申请号： | 201610772802.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106486236B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 坂本祯章;石田祐也 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01F1/26 | 分类号： | H01F1/26;H01F27/255;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁芯及其制造方法。本发明提供一种耐电压更高且磁芯损耗更低的用于线圈元件的磁芯。上述磁芯含有软磁性材料粒子和结合剂，上述软磁性材料粒子在软磁性材料的表面具有厚度为10nm～100nm的范围的氧化物的绝缘膜，上述结合剂包含软化点为350℃～500℃的范围的非硅酸盐玻璃且使软磁性材料粒子结合，软磁性材料包含非结晶相且具有结晶结构产生变化的600℃以下的转变温度，电阻率为107Ωcm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁芯，其中，含有软磁性材料粒子和结合剂，所述软磁性材料粒子在软磁性材料的表面具有厚度为10nm～100nm的范围的绝缘膜，所述结合剂包含软化点为350℃～500℃的范围的非硅酸盐玻璃且使所述软磁性材料粒子结合，所述软磁性材料包含非结晶相且具有结晶结构产生变化的600℃以下的转变温度，电阻率为107Ωcm以上，所述非硅酸盐玻璃的碱金属的含量合计为0.1重量％以下，所述非硅酸盐玻璃为V‑Te‑O玻璃。
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