[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610770654.1 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106684049A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金道亨;张永书;翰孙其;朴俊书 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑;王兴 |
| 地址： | 美国亚利桑那 州8*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。揭露一种半导体装置以及一种其制造方法，其可以减少制程的数目且/或可以降低该半导体装置的一厚度。作为一非限制性的例子，此揭露内容的各种特点系根据介电层特征来提供制程步骤的删除及/或在封装尺寸上的缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：半导体晶粒，其包括：第一晶粒表面；与该第一晶粒表面相对的第二晶粒表面；以及延伸在该第一晶粒表面与该第二晶粒表面之间的第三晶粒表面；第一介电层，其包括在该第三晶粒表面上的第一介电层部分以及从该半导体晶粒向外延伸的第二介电层部分，并且包括与该第一晶粒表面共面的第一表面；囊封物层，其在该第一介电层上；以及导电层，其在该半导体晶粒的该第一表面上以及在该第二介电层部分上。
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