[发明专利]一种两性离子表面修饰的人工晶状体及其制备方法在审
| 申请号： | 201610766177.1 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106362205A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 林全愧;陈浩 | 申请（专利权）人： | 温州医科大学 |
| 主分类号： | A61L27/16 | 分类号： | A61L27/16;A61L27/02;A61L27/50;C08F8/42;C08F8/30;C08F120/14;C08F120/28 |
| 代理公司： | 温州金瓯专利事务所(普通合伙)33237 | 代理人： | 王坚强 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种两性离子表面修饰的人工晶状体及其制备方法。一种两性离子表面修饰的人工晶状体的制备方法，包括以下工艺步骤通过硅氢化反应制备端基为烷氧基硅烷的两性离子；取干净的人工晶状体，通过表面预处理使其表面带上羟基基团；预处理后的人工晶状体浸没于端基为烷氧基硅烷的两性离子的溶液中进行表面处理，利用烷氧基硅烷的水解反应得到两性离子表面修饰的人工晶状体。本发明的优点是通过简便的方法对人工晶状体进行表面改性，获得具有良好亲水性的表面，避免了以往人工晶状体表面处理中所需要的复杂过程，得到高生物相容性人工晶状体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 两性 离子 表面 修饰 人工 晶状体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种两性离子表面修饰的人工晶状体，其特征在于：所述的人工晶状体表面修饰有一层两性离子。
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