[发明专利]晶体提拉生长炉温场结构及其提拉生长工艺在审
| 申请号： | 201610760201.0 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106087037A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吴玥 | 申请（专利权）人： | 成都晶九科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体提拉生长炉温场结构及其提拉生长工艺，温场结构包括氧化铝保温筒（1）、氧化锆砖保温筒（2）、铱埚（3）、氧化锆埚托（4）、氧化铝底托（5）、第一氧化锆盖板（6）、第二氧化锆盖板（13）、氧化铝定位环（7）、氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）；工艺包括：装炉前准备，处理铱埚，装炉、装料，第一次化料，籽晶制备和调整，第二次化料、充气、预热籽晶，晶体生长，收尾。本发明设计了合理的温场结构和生长工艺，在保证生长所需高温和温度梯度的前提下降低能耗。放肩之前进行缩颈，即开始提拉时使温度微微偏高，让籽晶直径微收约1mm左右，然后再降温放肩，能够尽可能的减少籽晶缺陷延伸到晶体里面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 生长 炉温 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
晶体提拉生长炉温场结构，其特征在于：包括氧化铝保温筒（1）、氧化锆砖保温筒（2）、铱埚（3）、氧化锆埚托（4）、氧化铝底托（5）、第一氧化锆盖板（6）、氧化铝定位环（7）、氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）；铱埚（3）的周壁自内向外依次由氧化锆砖保温筒（2）和氧化铝保温筒（1）包覆；铱埚（3）的埚底设于氧化锆埚托（4）上，氧化锆埚托（4）、氧化锆砖保温筒（2）及氧化铝保温筒（1）分别承托于氧化铝底托（5）上；铱埚（3）的顶部开口处设有第一氧化锆盖板（6），第一氧化锆盖板（6）与氧化铝保温筒（1）之间设有氧化铝定位环（7），氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）分别设置于第一氧化锆盖板（6）上，且氧化锆上保温外筒（9）设于氧化铝定位环（7）与氧化铝上保温内筒（8）之间；所述的氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）的上方还设有第二氧化锆盖板（13），所述的氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）均为缩减厚度的保温筒。
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