[发明专利]一种激光SE电池的制备方法有效
申请号: | 201610756795.8 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106252462B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 励小伟;梁海;赖儒丹;周涛铭;胡巧;张小明 | 申请(专利权)人: | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315700 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种激光SE电池的制备方法,它包括以下步骤1)用金刚线切割硅片;2)制绒;3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理;4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上;5)置于扩散炉,300~500℃通入POCl3混合物2~3min;6)冷却,取出硅片,涂抹有机溶剂,对硅片表面进行激光扫描;7)刻蚀;8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜、丝网印刷,完成正面栅线和背面铝背场的烧结。采用激光打点后扩散炉扩散、涂抹有机溶剂激光扫描制备的激光SE电池转换效率高,反射率低,性能最佳。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 se 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种激光SE电池的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:1)用金刚线切割硅片至所需形状;2)将切割好的硅片置于碱性混合液中制绒;3)利用激光打点的方式在硅片制绒表面均匀地进行打盲孔处理;4)涂抹磷墨在打过盲孔的硅片表面上;5)置于扩散炉,300~500℃通入POCl3混合物2~3min;6)冷却,取出硅片,涂抹有机溶剂,对硅片表面进行激光扫描;所述有机溶剂由以下重量百分比的组分组成:三乙基氧化磷1~5%,磷酸三辛基酯10~15%,余量为异丙醇;7)对激光扫描过的硅片用酸性混合液进行刻蚀;8)在刻蚀后的硅片表面镀减反射膜,丝网印刷,完成正面栅线和背面铝背场的烧结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江启鑫新能源科技股份有限公司,未经浙江启鑫新能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610756795.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的