[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审
| 申请号： | 201610756197.0 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107204312A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 岩本正次;山崎尚 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够抑制电磁波障碍的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备将被处理体与工辅具以接地端子插入于第一沟槽且信号端子插入于第二沟槽，并且一表面相接于第一面的方式重叠配置的步骤，该被处理体具备半导体元件；密封树脂层，密封半导体元件；及接地端子及信号端子，与半导体元件电性连接，从密封树脂层的一表面突出，且该接地端子能够与接地电位连接；该工辅具具备第一面；第二面；第一沟槽，从第一面至第二面为止连续性地露出；及第二沟槽，在第一面露出；及以覆盖密封树脂层的露出部及接地端子的露出部的方式形成导电性屏蔽层而将导电性屏蔽层与接地端子之间电性连接的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于具备：将被处理体与工辅具以所述接地端子插入于所述第一沟槽，所述信号端子插入于所述第二沟槽，并且所述一表面相接于所述第一面的方式重叠配置的步骤，该被处理体具备：半导体元件；密封树脂层，密封所述半导体元件；接地端子，与所述半导体元件电性连接，且从所述密封树脂层的一表面突出，能够与接地电位连接；及信号端子，与所述半导体元件电性连接，且从所述一表面突出；该工辅具具备：第一面；第二面；第一沟槽，从所述第一面至所述第二面为止连续性地露出；及第二沟槽，在所述第一面露出；及以覆盖所述密封树脂层的露出部及所述接地端子的露出部的方式，形成导电性屏蔽层而将所述导电性屏蔽层与所述接地端子之间电性连接的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610756197.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜、其形成方法及其形成的栅极导电层
- 下一篇：多层电容器的制造方法
