[发明专利]用于针对使用电永磁体的原子传感器的低功率磁场生成的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201610754380.7 申请日: 2016-07-15
公开(公告)号: CN106405448A 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: K·萨利特 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 胡莉莉,张涛
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了用于针对使用电永磁体的原子传感器的低功率磁场生成的系统和方法。在一个实施例中,用于针对原子传感器的磁场生成的方法包括在腔室中激光冷却原子样品;并且通过使用至少一对电永磁体单元跨原子样品应用原子俘获场来在腔室内在磁光陷阱中俘获原子样品。
搜索关键词: 用于 针对 使用 永磁体 原子 传感器 功率 磁场 生成 系统 方法
【主权项】:
一种用于针对原子传感器的磁场生成的方法,所述方法包括:在腔室(220)中激光冷却原子样品;和通过使用至少一对电永磁体单元(201‑1,201‑2)跨所述原子样品应用原子俘获磁场(225)来在所述腔室(220)内在磁光陷阱(222)中俘获所述原子样品;和在所述原子样品上执行询问方案,同时暂时地对跨所述原子样品的所述原子俘获磁场(225)去能。
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