[发明专利]Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610752565.4 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN106282943B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 贾泽夏;庄志杰;诸斌;顾宗慧 申请(专利权)人: 基迈克材料科技(苏州)有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 郭春远
地址: 215214 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材的制备方法,选择粒径为0.5‑6μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀压制毛坯,然后置于大气烧结炉中进行烧结,降温后对半成品进行加工处理,得到Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材。离子掺杂改善Al2O3薄膜的晶型,相对理论密度高,制备出的薄膜膜层致密,不易从基体脱落,导电和发光等特性提高,而且寿命长。
搜索关键词: 溅射靶材 制备 掺杂 薄膜 致密 按比例混合 离子掺杂 烧结 烧结炉 毛坯 导电 晶型 粒径 膜层 发光 压制
【主权项】:
1.Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材的制备方法,制备方法具体包含以下步骤:1):选择粒径为0.5‑6μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr2O3的质量含量为0.5%‑2%;2):将原料粉装入钢模中压制,压制压力为10‑30MPa;3):将压制好的毛坯放置在平整刚玉托盘上,置于大气烧结炉中进行烧结,烧结温度为1400℃—1600℃,1200℃之前升温速度为20℃/min,1200℃以上升温速度为5℃/min,最高温度保持5—10小时;4):降温后对半成品进行加工处理,确保所有平面保持平整,并且角部成直角,得到Cr2O3掺杂Al2O3溅射靶材;其特征在于:选择粒径为0.5‑3μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr2O3的质量含量为0.5%,成型压力为16MPa,烧结时间为6小时,制得的靶材相对理论密度为94.6%;选择粒径为0.5‑3μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr2O3的质量含量为0.5%,成型压力为20MPa,烧结时间为6小时,制得的靶材相对理论密度为96.1%;选择粒径为0.5‑3μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr2O3的质量含量为0.5%,成型压力30MPa,烧结时间6小时,靶材相对理论密度96%;选择粒径为0.5‑3μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr2O3的质量含量为1%,成型压力30MPa,烧结时间10小时,靶材相对理论密度98.3%;选择粒径为3‑5μm的球形Cr2O3粉和Al2O3粉为原料,按比例混合均匀,其中Cr2O3的质量含量为1%,成型压力30MPa,烧结时间10小时,靶材相对理论密度95%。
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