[发明专利]一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路

摘要

本发明公开了一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路，该高速驱动电路通过在线性光耦的集电极或射极使用变阻结构电路，在光耦的输出回路上采用动态电压比较电路，提高驱动信号的传输速度和上升下降沿的陡度，从而提高驱动电路的性能。本发明具有高速驱动速度快，体积小等优点。

主权项

一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、线性光耦、第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管、第四PNP型三极管、第一NPN型三极管、第一电容、第二电容、MOSFET管、负载、驱动电路控制信号输入端、控制信号电源正极、驱动电路电源正极、驱动电路电源负极、主电路电源正极和主电路电源负极，驱动信号控制信号输入端通过第一电阻与第一PNP型三极管的基极相连，第一PNP型三极管的集电极接地，第一PNP型三极管的发射极与线性光耦基极的第一端相连，第二电阻的一端与控制信号电源正极相连，第二电阻的另一端与线性光耦基极的第二端相连，线性光耦的发射极与驱动电路电源负极相连，线性光耦的发射极还通过负载与主电路电源负极相连，线性光耦的集电极通过第三电阻与驱动电路电源正极相连，线性光耦的集电极还与第二PNP型三极管的集电极相连，第二PNP型三极管的发射极与驱动电路电源正极相连，第二PNP型三极管的基极通过第一电容与驱动电路电源正极相连，线性光耦的集电极还通过第四电阻与第三PNP型三极管的基极相连，第二电容通过导线分别连接于第四电阻的两端，第三PNP型三极管的发射极与驱动电路电源正极相连，第三PNP型三极管的集电极通过第五电阻接地，第三PNP型三极管的集电极还分别与第一NPN型三极管的基极以及第四PNP型三极管的基极相连，第一NPN型三极管的集电极与驱动电路电源正极相连，第一NPN型三极管的发射极与第四PNP型三极管的发射极相连，第一NPN型三极管的发射极还与MOSFET管的栅极相连，第四PNP型三极管的集电极接地，MOSFET管的漏极与主电路电源正极相连，MOSFET管的源极通过负载与主电路电源负极相连。