[发明专利]一种改善处理镀膜后脏片的方法在审
| 申请号： | 201610749718.X | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106384757A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 静福印;黄红娜;何为晋;赵洪俊;廖海伦;王凯 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯桂丽 |
| 地址： | 215434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善处理镀膜后脏片的方法，采用可腐蚀硅化学腐蚀溶液，对去除氮化硅薄膜后的脏片进行腐蚀处理。本发明提出一种改善处理镀膜后“挂水”脏片的方法，可以很好地去除再镀膜“挂水”脏片的问题，大大降低了生产成本，提高了太阳能电池的外观品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 处理 镀膜 后脏片 方法 | ||
【主权项】：
一种改善处理镀膜后脏片的方法，其特征在于，采用可腐蚀硅化学腐蚀溶液，对去除氮化硅薄膜后的脏片进行腐蚀处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
