[发明专利]磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610744315.6 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107779831B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法，以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜。A相二氧化钒的晶胞参数为aA=0.844nm,bA=0.844nm,cA=0.767nm，采用衬底晶格参数与A相二氧化钒匹配为本发明的关键。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜，所述衬底为（110）面钛酸锶STO、（110）面铝酸镧LAO、（110）面铌镁酸铅－钛酸铅PMN‑PT、（110）面铝酸锶钽镧LAST、（110）面铝酸锶钽钕NSAT、（110）面镓酸钕NdGaO3、（110）面钪酸钇YScO3、（110）面钪酸钬HoScO3、（110）面钪酸铽TbScO3、（110）面钪酸镝DyScO3、（110）面钪酸钆GdScO3中的至少一种；其中，沉积温度为350～500℃，沉积全压为0.5～5.0Pa，氧气分压为1～5%，并控制背底真空为5～10×10‑5 Pa，溅射功率为50～150W，溅射时间为5～300分钟。
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