[发明专利]阵列基板及液晶显示面板有效
| 申请号: | 201610742652.1 | 申请日: | 2016-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN106252359B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 谢应涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板,该阵列基板包括:在氧化物半导体材料层形成后,在射频照射下、并在压缩空气中进行退火中形成钝化层或栅极绝缘层。通过上述方式,本发明能够多个调节氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异,并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移,实现均匀的显示效果提供技术基础。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其中,所述阵列基板上设置有阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管,其特征在于,所述阵列基板包括:基板;绝缘的缓冲层,覆盖在所述基板上;氧化物半导体材料层,其包括沟道区域、源极区域和漏极区域,所述氧化物半导体材料层形成在所述缓冲层上,其中,所述源极区域和所述漏极区域分别位于所述沟道区域的两端,所述源极区域和所述漏极区域通过对所述氧化物半导体材料经过掺杂处理而形成;栅极绝缘层,覆盖在所述沟道区域上,其中,所述栅极绝缘层在射频的照射下、并在压缩空气中进行退火而形成的,以调节所述多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差值;栅极层,覆盖在所述栅极绝缘层上;绝缘的互联层,覆盖在所述缓冲层、所述源极区域、所述栅极层以及所述漏极区域上,且在所述互联层中分别形成贯穿所述互联层的第一接触孔和第二接触孔,所述第一接触孔的一端与所述源极区域连接,所述第二接触孔的一端与所述漏极区域连接,其中所述第一接触孔和第二接触孔中填充的材料为透明电极材料;源极层和漏极层,其分别间隔形成在所述互联层上,其材料均为金属导体材料,其中,所述源极层与所述第一接触孔的另一端相连,以实现所述源极层与所述源极区域之间的电性连接,所述漏极层与所述第二接触孔的另一端相连,以实现所述漏极层与所述漏极区域之间的电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





