[发明专利]一种应用于半导体的磁力喷墨测试工艺在审
| 申请号： | 201610741992.2 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106328555A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 葛宜威;崔亮;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰盈汽车芯片有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 陶得天 |
| 地址： | 225008 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种应用于半导体的磁力喷墨测试工艺。提供了一种操作简单，能够高效快速剔除不合格晶粒的应用于半导体的磁力喷墨测试工艺。包括以下步骤：S1、先激光切割晶片呈半切透状，形成若干待分离的晶粒；S2、测试晶粒，区分不合格晶粒；S3、磁性墨水配制；S4、晶片喷墨，对不合格晶粒进行喷墨；S5、烘干，将喷墨后的晶片放置在烘箱内，烘箱温度为80‑100℃，时间为15‑25min；S6、裂片，将待裂晶片放置在两张防静电麦拉纸之间，再通过硬质胶棒滚碾晶片，使其分裂成若干晶粒；S7、磁铁吸附带墨水的不合格晶粒，完成。本发明降低了生产成本，提高了工作效率，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 半导体 磁力 喷墨 测试 工艺 | ||
【主权项】：
一种应用于半导体的磁力喷墨测试工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、先激光切割晶片呈半切透状，形成若干待分离的晶粒；S2、测试晶粒，区分不合格晶粒；S3、磁性墨水配制；S4、晶片喷墨，对不合格晶粒进行喷墨；S5、烘干，将喷墨后的晶片放置在烘箱内，烘箱温度为80‑100℃，时间为15‑25min；S6、裂片，将待裂晶片放置在两张防静电麦拉纸之间，再通过硬质胶棒滚碾晶片，使其分裂成若干晶粒；S7、磁铁吸附带墨水的不合格晶粒，完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
