[发明专利]一种利用纤芯失配干涉结构测量磁场的方法在审
| 申请号： | 201610741697.7 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106405447A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 何巍;祝连庆;娄小平;董明利;庄炜;张钰民;李红 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G01R33/00;G01D5/353 |
| 代理公司： | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11416 | 代理人： | 顾珊,庞立岩 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用纤芯失配干涉结构测量磁场的方法，所述方法包括如下步骤a)搭建纤芯错位熔接干涉结构，所述纤芯错位熔接干涉结构包括依次连接的泵浦源，波分复用器，增益光纤，第一单模光纤，第二单模光纤，第三单模光纤和光谱分析仪；b)对第一单模光纤，第二单模光纤和第三单模光纤进行光纤错位熔接；c)测量待测温控装置的外加磁场将第一单模光纤、第二单模光纤和第三单模光纤与温控装置组合为一体，在外加磁场的条件下对传感器实现拉伸、弯曲、振动或挤压，引起纤芯失配干涉仪偏振态发生相应变化，利用下述公式，确定传感器所受到的磁场Y＝aX‑b，其中X为磁场浓度，Y为变化波长，a，b为常数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 失配 干涉 结构 测量 磁场 方法 | ||
【主权项】：
一种利用纤芯失配干涉结构测量磁场的方法，所述方法包括如下步骤：a)搭建纤芯错位熔接干涉结构，所述纤芯错位熔接干涉结构包括依次连接的泵浦源，波分复用器，增益光纤，第一单模光纤，第二单模光纤，第三单模光纤和光谱分析仪；b)对第一单模光纤，第二单模光纤和第三单模光纤进行光纤错位熔接；c)测量待测温控装置的外加磁场：将第一单模光纤、第二单模光纤和第三单模光纤与温控装置组合为一体，在外加磁场的条件下对传感器实现拉伸、弯曲、振动或挤压，引起纤芯失配干涉仪偏振态发生相应变化，利用下述公式，确定传感器所受到的磁场：Y＝aX‑b，其中X为磁场浓度，Y为变化波长，a，b为常数。
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