[发明专利]具有低触发电压的静电放电保护器件有效
| 申请号： | 201610741325.4 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106898606B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李贤德 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种静电放电(ESD)保护器件包括第一PN二极管、第二PN二极管和可控硅整流器(SCR)。第一PN二极管和第二PN二极管串联耦接在焊盘与接地电压之间以提供第一放电电流路径。SCR耦接在焊盘与接地电压之间以提供第二放电电流路径。SCR具有PNPN结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 触发 电压 静电 放电 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种静电放电ESD保护器件，包括：第一PN二极管和第二PN二极管，所述第一PN二极管和所述第二PN二极管串联耦接在焊盘与接地电压之间以提供第一放电电流路径；以及可控硅整流器SCR，耦接在所述焊盘与接地电压之间以提供第二放电电流路径，其中，所述SCR具有PNPN结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
