[发明专利]一种单极阻挡结构窄带通紫外探测器

摘要

本发明公开了一种单级阻挡结构窄带通紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，I型吸收层，P型单级阻挡层，P型滤波层，N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极；本发明阻挡层采用渐变掺杂和渐变组分分布形成单级能带结构，使得异质结的能带偏移全部落在导带上，而价带为平坦结构，能够阻挡短波滤波层产生的电子的自由运动同时不影响吸收层空穴信号的收集。同时该结构的引入还能够阻挡暗电流的输运通道。本发明能够有效地提高探测器的短波抑制比，降低器件的暗电流，显著提高探测器的性能而不影响其响应率。

主权项

一种单极阻挡结构窄带通紫外探测器，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层外延在所述衬底之上；N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层制作在所述缓冲层之上；I型吸收层，所述I型吸收层制作在所述N型欧姆接触层之上；P型单极阻挡层，所述P型单极阻挡层制作在所述I型吸收层之上；P型滤波层，所述P型滤波层制作在所述P型单极阻挡层之上；P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层制作在所述P型滤波层之上；N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极制作在所述N型欧姆接触层之上；P型欧姆接触电极；所述P型欧姆接触电极制作在所述P型欧姆接触层之上；其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底；所述缓冲层为低温外延的GaN材料；所述N型欧姆接触层为高电子浓度的N型GaN材料；所述I型吸收层为非故意掺杂的N型AlzGa1‑zN材料，其中0≤z＜1；所述P型单极阻挡层为渐变掺杂和Al组分渐变分布的P型AlyGa1‑yN材料，其中0＜y≤1；所述P型滤波层为高电子浓度的P型AlxGa1‑xN材料，其中0＜x＜1，y＞x＞z。