[发明专利]一种发光二极管外延片及其生产方法有效
| 申请号： | 201610739860.6 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206887B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李志聪;王明洋;戴俊;闫其昂;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种发光二极管外延片及其生产方法，本发明涉及半导体光电子器件制造领域，在生长多量子阱有源区时，本发明在生长多量子阱有源区时，对其中的每一组结构层的生长的生长材料进行控制，循环进行2～12组结构层的生长，在生长每一组结构层时，依次生长AlxInyGa1‑x‑yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1‑xN量子阱层和AlxGa1‑xN薄层。本发明工艺合理，制成的产品稳定性好，正品率高，避免了多量子阱生长遇到的In组分分散不均问题及QCSE现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，包括依次外延设置在衬底同一侧的AlN成核层、AlGaN非掺杂层、n型AlGaN电子注入层、多量子阱有源区、AlGaN电子阻挡层和AlGaN空穴注入层；其特征在于：所述多量子阱有源区由呈周期设置的2～12组结构层组成，每一组结构层由依次设置的AlxInyGa1‑x‑yN量子垒层、AlN晶核层、网状结构SiN薄层、InxGa1‑xN量子阱层和AlxGa1‑xN薄层组成；x为0.01～0.1，y为0.05～0.2。
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