[发明专利]一种整流二极管替代电路及反偏截止驱动电路

摘要

本发明公开了一种整流二极管替代电路及反偏截止驱动电路；一种具有反偏截止驱动的整流二极管替代电路,包括整流二极管电路和反偏截止驱动电路，其特征在于：反偏截止驱动电路对整流二极管电路两端的电压进行检测，当阴极电位高于阳极电位时：反偏截止驱动电路在功率MOS管的栅极形成快速的电荷泻放通道，使功率MOS管截止；或者，反偏截止驱动电路在储能电容器的两端形成快速的电荷泻放通道，使储能电容器通过反偏截止驱动电路放电，当储能电容器两端电压低于整流二极管电路内部的带隙基准电路的输出电压时，迟滞比较器输出关断信号，并通过驱动放大器放大后，使功率MOS管截止；本发明可使整流二极管电路从正向偏置转为反向偏置后，快速截止。

主权项

1.一种具有反偏截止驱动的整流二极管替代电路,包括整流二极管电路和反偏截止驱动电路；所述整流二极管电路包括储能电容器(C)、低压时钟发生器(1)、电荷泵电路(2)、带隙基准电路(3)、迟滞比较器(4)、驱动放大器(5)和功率MOS管(Q)；低压时钟发生器(1)检测整流二级管电路两端的电压，并产生时钟信号驱动电荷泵电路(2)；电荷泵电路(2)检测整流二极管电路两端的电压并放大后将电荷存储在储能电容器(C)中；储能电容器(C)上存储的电压与带隙基准电路(3)输出的基准电压分别输出到迟滞比较器(4)进行比较；当储能电容器(C)上存储的电压大于带隙基准电路(3)输出的基准电压时，迟滞比较器(4)输出开启信号，并经驱动放大器(5)放大后输出到功率MOS管(Q)，驱动功率MOS管(Q)导通；其特征在于：反偏截止驱动电路(6)对所述整流二极管电路两端的电压进行检测，当阴极电位高于阳极电位时：反偏截止驱动电路(6)在功率MOS管(Q)的栅极形成电荷泻放通道，使功率MOS管(Q)截止；或者，反偏截止驱动电路(6)在储能电容器(C)的两端形成电荷泻放通道，使储能电容器(C)通过反偏截止驱动电路(6)放电，当储能电容器(C)两端电压低于整流二极管电路内部的带隙基准电路(3)的输出电压时，迟滞比较器(4)输出关断信号，使功率MOS管(Q)截止。