[发明专利]一种磁性隧道结的制备方法在审
| 申请号： | 201610733731.6 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785482A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 左正笏;喻涛;陈志刚;谷勋;刘瑞盛;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性隧道结的制备方法，所述磁性隧道结的制备方法在刻蚀第二磁性层和隧穿层后沉积保护层，再刻蚀掉多余的保护层，暴露出第一磁性层；或，在刻蚀第二磁性层后沉积保护层，再刻蚀隧穿层，暴露出第一磁性层；之后，对暴露的第一磁性层进行含氧预处理，并对暴露的第一磁性层进行离子注入，形成掺杂的磁性层，随后刻蚀掉掺杂的磁性层，暴露出第二电极，最后沉积保护层，完成磁性隧道结的制备。本发明的方法在对第一磁性层做预处理时，不会对第二磁性层造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结的制备方法，在衬底上沉积第一电极，在第一电极上堆积MTJ、第二电极，MTJ包括第一磁性层、遂穿层和第二磁性层，其特征在于，所述磁性隧道结的制备方法包括：在刻蚀第二磁性层和隧穿层后沉积保护层，再刻蚀掉多余的保护层，暴露出第一磁性层；或，在刻蚀第二磁性层后沉积保护层，再刻蚀隧穿层，暴露出第一磁性层；对暴露的第一磁性层进行含氧预处理；对暴露的第一磁性层进行离子注入，形成掺杂的磁性层；刻蚀掉掺杂的磁性层，暴露出第二电极；最后沉积保护层，完成磁性隧道结的制备。
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