[发明专利]处理晶片的方法

摘要

本发明涉及一种处理晶片的方法，晶片的一侧具有由多个分割线分隔的多个器件的器件区并具有外围边缘区，外围边缘区不具有器件并且围绕器件区形成，其中器件区形成有从晶片的平面突出的多个突起。该方法包括：将用于覆盖晶片上的器件的保护膜附接至晶片的这一侧，其中保护膜用粘合剂附着至晶片的这一侧的至少一部分；以及提供可固化树脂施加到其前表面的载子。该方法进一步包括：晶片的附接有保护膜的这一侧附接至载子的前表面，使得从晶片的平面突出的突起嵌入到可固化树脂中，并且载子的与其前表面相反的后表面大致平行于晶片的与这一侧相反的一面；以及磨削晶片的与这一侧相反的一面以调整晶片厚度。

主权项

1.一种处理晶片(W)的方法，所述晶片(W)的一侧(1)上具有由多条分割线(11)分隔的多个器件的器件区(2)并具有外围边缘区(3)，所述外围边缘区(3)不具有器件并且围绕所述器件区(2)形成，其中所述器件区(2)形成有从所述晶片(W)的平面突出的多个突起(14)，并且所述方法包括：将用于覆盖所述晶片(W)上的所述器件的保护膜(4)附接至所述晶片(W)的所述一侧(1)，其中所述保护膜(4)用粘合剂附着至所述晶片(W)的所述一侧(1)的至少一部分；提供可固化树脂(13)施加到其前表面(17)的载子(7)；将所述晶片(W)的附接有所述保护膜(4)的所述一侧(1)附接至所述载子(7)的所述前表面(17)，使得从所述晶片(W)的所述平面突出的所述突起(14)嵌入到所述可固化树脂(13)中，并且所述载子(7)的与其所述前表面(17)相反的后表面(18)平行于所述晶片(W)的与所述一侧(1)相反的一面(6)；以及磨削所述晶片(W)的与所述一侧(1)相反的所述一面(6)以调整晶片厚度。