[发明专利]一种非晶态-纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法

摘要

一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法，属于电致变色技术领域。利用元素掺杂和控制调整平均配位数方法，通过优化脉冲激光沉积法制备(ITO)_x(Nb₂O₅)_y(Ga₂O₃)_1‑x‑y薄膜的工艺，整体薄膜制备为统一纳米晶‑非晶混合晶态。本发明操作简单，不易引入杂质，制备温度低，制备条件容易控制，所制备的纳米晶‑非晶复合结构的(ITO)_x(Nb₂O₅)_y(Ga₂O₃)_1‑x‑y电致变色薄膜响应时间快，具有较好的柔韧性和明显的颜色变化，为柔性智能变色窗器件提供材料支持和工艺改进。

主权项

1.一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，利用元素掺杂和控制调整平均配位数方法，通过优化脉冲激光沉积法制备(ITO)_x(Nb₂O₅)_y(Ga₂O₃)_1‑x‑y薄膜的工艺，整体薄膜制备为统一纳米晶‑非晶混合晶态结构，具体包括以下步骤：步骤1，将4N级ITO、Nb₂O₅、Ga₂O₃的高纯粉末混合研磨，得到铟锡铌镓氧化物高纯混合粉料；步骤2，将混合粉料放入高温管式炉中，高温预烧结；步骤3，将预烧结后混合粉料放入压靶机中，压制成圆柱形靶材；步骤4，将压制后靶材再次放入高温管式炉中，高温烧结；步骤5，将高温烧结后靶材放入真空腔内，抽至本底真空度，关闭分子泵和闸板阀，通入氧气，用355nm脉冲激光轰击靶材，在基底上沉积得到非晶‑纳米晶复合结构的柔性电致变色薄膜；步骤1中所述的ITO、Nb₂O₅、Ga₂O₃的高纯混合粉末的摩尔比即x：y(1‑x‑y)为0.7‑0.9:0.05‑0.25:0.05‑0.25。