[发明专利]一种超结MOS的终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610729418.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106229339A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 任杰 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超结MOS的终端结构及其制造方法，一种超结MOS的终端结构，包括P型柱和N型柱，从有源区到终端区的过渡区采用了一个多晶场板来使电场分布从有源区平稳过渡到终端区，再利用终端区P型柱和N型柱交替式结构来平衡电场电荷，其中，在重掺杂的N+衬底上进行N型外延层的生长，在外延层表面生长氧化层，通过光刻版利用深槽刻蚀，刻蚀出有源区的沟槽和终端区的沟槽环，假设沟槽宽度为a，有源区沟槽间距为b，终端区沟槽间距为c，则：a＜c≤b。本发明通过简化终端区的结构，可防止在器件终端引入如多晶场板等其他结构时引入杂质缺陷。同时，减少了对器件本身的损伤，在不影响工艺的条件下，提高器件性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结MOS的终端结构，包括P型柱和N型柱，其特征在于：从有源区到终端区的过渡区采用了一个多晶场板来使电场分布从有源区平稳过渡到终端区，再利用终端区P型柱和N型柱交替式结构来平衡电场电荷，其中，在重掺杂的N+衬底上进行N型外延层的生长，在外延层表面生长氧化层，通过光刻版利用深槽刻蚀，刻蚀出有源区的沟槽和终端区的沟槽环，假设沟槽宽度为a，有源区沟槽间距为b，终端区沟槽间距为c，则：a＜c≤b。
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