[发明专利]氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法及氮化物陶瓷覆铜板在审
| 申请号: | 201610723496.4 | 申请日: | 2016-08-24 | 
| 公开(公告)号: | CN106328544A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 | 
| 发明(设计)人: | 袁超;钱建波;黄世东;于岩 | 申请(专利权)人: | 浙江德汇电子陶瓷有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/14 | 
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 吴啸寰 | 
| 地址: | 314000 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
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| 摘要: | 一种氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法及氮化物陶瓷覆铜板。在氮化物陶瓷覆铜板的表面设置图形化抗蚀层,氮化物陶瓷覆铜板是利用活性钎焊法制作形成;利用第一蚀刻液对氮化物陶瓷覆铜板进行第一次蚀刻处理,第一蚀刻液包括CuCl2溶液或FeCl3溶液;利用第二蚀刻液对经过第一次蚀刻处理的氮化物陶瓷覆铜板进行第二次蚀刻处理;以及利用第三蚀刻液对经过第二次蚀刻处理的氮化物陶瓷覆铜板进行第三次蚀刻处理。本发明蚀刻效率高,蚀刻均一无残渣,提高蚀刻品质,并且金属层板面状态良好。 | ||
| 搜索关键词: | 氮化物 陶瓷 铜板 图形 方法 | ||
【主权项】:
                一种氮化物陶瓷覆铜板的图形化方法,其特征在于,其包括:在氮化物陶瓷覆铜板的表面设置图形化抗蚀层,所述氮化物陶瓷覆铜板是利用活性钎焊法制作形成;利用第一蚀刻液对所述氮化物陶瓷覆铜板进行第一次蚀刻处理,所述第一蚀刻液包括CuCl2溶液或FeCl3溶液;利用第二蚀刻液对经过所述第一次蚀刻处理的所述氮化物陶瓷覆铜板进行第二次蚀刻处理,所述第二蚀刻液按质量百分比计包括:2%‑3%的Fe(NO3)3,1%‑5%的HNO3,其余组分为水;以及利用第三蚀刻液对经过所述第二次蚀刻处理的所述氮化物陶瓷覆铜板进行第三次蚀刻处理,所述第三蚀刻液按质量百分比计包括:5%‑30%的H2O2,1%‑4%的有机膦酸化合物,0.1%‑3%的磷酸,0.1%‑2%唑类化合物,其余组分为水。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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