[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括：由第一导电型构成的半导体层；阱区域，是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；源区域，是第一导电型的源区域，形成在阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近第一区域限定的第二区域；栅极绝缘膜，形成在半导体层上并且在栅极绝缘膜中限定：第一部分，接触源区域的第一区域；第二部分，接触阱区域，并且第二部分的厚度与第一部分的厚度相同；和第三部分，接触源区域的第二区域，并且第三部分的厚度大于第一部分的厚度；和栅电极，形成在栅极绝缘膜上，并且通过栅极绝缘膜与阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体层，所述半导体层由第一导电型构成；阱区域，所述阱区域是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；源区域，所述源区域是第一导电型的源区域，形成在所述阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近所述第一区域限定的第二区域；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述半导体层上并且在所述栅极绝缘膜中限定：第一部分，所述第一部分接触源区域的第一区域；第二部分，所述第二部分接触阱区域，并且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度相同；和第三部分，所述第三部分接触源区域的第二区域，并且所述第三部分的厚度大于所述第一部分的厚度；和栅电极，所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜上，并且通过所述栅极绝缘膜与所述阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置，所述源区域的第一区域的杂质浓度低于所述源区域的第二区域的杂质浓度。