[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板有效
| 申请号: | 201610717764.1 | 申请日: | 2016-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN106252357B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
| 发明(设计)人: | 张占东 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括:基板、设置在基板上的显示部以及由显示部的边沿延伸的非显示部,显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,非显示部包括:在基板上的复合金属层;在复合金属层上的第一金属层;第一金属层由氧化物可溶于水且具有低电阻值的金属材料制成;在第一金属层上的平坦层;在平坦层中的通孔;通孔将部分第一金属层暴露;在平坦层上的公共电极层;公共电极层经由通孔与暴露的第一金属层接触;覆盖公共电极层的钝化层。由于采用氧化物可溶于水且易被去除的金属材料制成第一金属层,因此可有效改善平坦层下方的信号线(其由复合金属层和第一金属层构成)与公共电极层的接触状况,以提升产品品质。 | ||
| 搜索关键词: | 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶面板 | ||
【主权项】:
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括:基板、设置在所述基板上的显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部,所述显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,其特征在于,所述非显示部包括:在基板上依次设置的第二金属层、第三金属层和第四金属层,所述第二金属层和所述第四金属层采用钛制成,所述第三金属层采用铝制成;在所述第四金属层上的第一金属层;其中,所述第一金属层采用钼制成;在所述第一金属层上的平坦层;在所述平坦层中的通孔;其中,所述通孔将部分所述第一金属层暴露;在所述平坦层上的公共电极层;其中,所述公共电极层经由所述通孔与暴露的所述第一金属层接触;覆盖所述公共电极层的钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





