[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板有效

专利信息
申请号: 201610717764.1 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106252357B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 张占东 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括:基板、设置在基板上的显示部以及由显示部的边沿延伸的非显示部,显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,非显示部包括:在基板上的复合金属层;在复合金属层上的第一金属层;第一金属层由氧化物可溶于水且具有低电阻值的金属材料制成;在第一金属层上的平坦层;在平坦层中的通孔;通孔将部分第一金属层暴露;在平坦层上的公共电极层;公共电极层经由通孔与暴露的第一金属层接触;覆盖公共电极层的钝化层。由于采用氧化物可溶于水且易被去除的金属材料制成第一金属层,因此可有效改善平坦层下方的信号线(其由复合金属层和第一金属层构成)与公共电极层的接触状况,以提升产品品质。
搜索关键词: 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶面板
【主权项】:
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括:基板、设置在所述基板上的显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部,所述显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,其特征在于,所述非显示部包括:在基板上依次设置的第二金属层、第三金属层和第四金属层,所述第二金属层和所述第四金属层采用钛制成,所述第三金属层采用铝制成;在所述第四金属层上的第一金属层;其中,所述第一金属层采用钼制成;在所述第一金属层上的平坦层;在所述平坦层中的通孔;其中,所述通孔将部分所述第一金属层暴露;在所述平坦层上的公共电极层;其中,所述公共电极层经由所述通孔与暴露的所述第一金属层接触;覆盖所述公共电极层的钝化层。
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