[发明专利]反熔丝结构、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201610716528.8 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107785348B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反熔丝结构、半导体器件及电子装置，该反熔丝结构包括用于施加编程电压的第一端，以及用于与编程晶体管连接的第二端，该反熔丝结构还包括：沿垂直方向间隔设置的至少两层金属层，每层金属层均包括彼此间隔布置的第一金属连线和第二金属连线，且在垂直方向上相邻金属层中对应位置的金属连线至少在部分区域中类型不同，所述第一金属连线与所述第一端电性连接，所述第二金属连线与所述第二端电性连接，所述第一金属连线和第二金属连线之间以及各层所述金属层之间通过介电层隔离。该反熔丝结构具有耗电低、可靠性高的优点。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 结构 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝结构，包括用于施加编程电压的第一端，以及用于与编程晶体管连接的第二端，其特征在于，还包括：沿垂直方向间隔设置的至少两层金属层，每层金属层均包括彼此间隔布置的第一金属连线和第二金属连线，且在垂直方向上相邻金属层中对应位置的金属连线至少在部分区域中类型不同，所述第一金属连线与所述第一端电性连接，所述第二金属连线与所述第二端电性连接，所述第一金属连线和第二金属连线之间以及各层所述金属层之间通过介电层隔离，当施加编程电压后，所述介电层击穿，所述第一端和第二端导通。/n
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