[发明专利]一种基于硫化钴镍的赝电容器正极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610708335.8 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106067383B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李振湖;刘双翼;李徐;向路;陆文强 | 申请（专利权）人： | 重庆中科超容科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/28;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 廖曦 |
| 地址： | 401329 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于硫化钴镍核壳三维多级纳米结构的赝电容器正极及其制备方法，所述正极包括泡沫镍基底1、位于泡沫镍基底1上阵列分布的硫化钴镍纳米片2、衔接于硫化钴镍纳米片2两侧的生长阵列分布的硫化钴镍叶片3，所述硫化钴镍纳米片2垂直于泡沫镍基底1，所述硫化钴镍叶片3与硫化钴镍纳米片2沿着泡沫镍基底1反方向呈0～90度。本发明公开的正极结构硫化钴镍纳米片阵列直接生长在高导电的泡沫镍基底上，使其具有很高的电子迁移率，有利于实现快速充放电；同时，在纳米片阵列上继续原位生长硫化钴镍叶片，不仅可以增加电极的可利用活性表面，提高其能量密度，并扩大活性材料与电解质的作用速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硫化 钴镍核壳 三维 多级 纳米 结构 电容器 正极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硫化钴镍核壳三维多级纳米结构的赝电容器正极的制备方法，所述正极包括泡沫镍基底（1）、位于泡沫镍基底（1）上阵列分布的硫化钴镍纳米片（2）、衔接于硫化钴镍纳米片（2）两侧的呈阵列生长分布的硫化钴镍叶片（3），所述硫化钴镍纳米片（2）垂直于泡沫镍基底（1），所述硫化钴镍叶片（3）与硫化钴镍纳米片（2）沿着泡沫镍基底（1）反方向呈0~90度，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1）将泡沫镍用浓盐酸浸泡，再分别用丙酮、乙醇和水和洗涤除去泡沫镍表面的氧化物以及油脂；2）称取Co(NO3)2•6H2O、 Ni(NO3)2•6H2O、Na2SO4 加入含有乙醇的水中，制得混合液；Ni(NO3)2·6H2O与Co(NO3)2·6H2O的摩尔比为0.1:1~1:0.1；Ni(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O的混合物与Na2SO4的摩尔比为1:0.5~1:4，所述乙醇和水的体积比为0.1~1：10；3）将步骤2）中的混合液加入含有经步骤1）处理过的泡沫镍的水热釜中进行反应，制得含有氢氧化钴镍纳米片的泡沫镍，通过硫化法处理所得含有氢氧化钴镍纳米片的泡沫镍，使氢氧化钴镍纳米片转变为硫化钴镍纳米片，所述硫化钴镍纳米片阵列分布在泡沫镍基底上，所述硫化钴镍纳米片垂直于泡沫镍基底：4）直接在纳米片阵列上继续原位生长硫化钴镍叶片，所述硫化钴镍叶片呈阵列生长分布衔接于硫化钴镍纳米片两侧，所述硫化钴镍叶片与硫化钴镍纳米片呈沿着泡沫镍基底反方向呈0~90度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆中科超容科技有限公司，未经重庆中科超容科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610708335.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
