[发明专利]一种具有复合介质层结构的积累型DMOS

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有复合介质层结构的积累型DMOS。本发明公开的具有复合介质层结构的积累型DMOS，其特征在于通过在具有复合介质层结构的DMOS中引入积累型区域，使得DMOS在电场分布改善的同时，阈值电压较低，且导通电阻较小。采用本发明可以具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻、较小的栅漏电流以及更高的抗漏极电压震荡对栅极影响的能力等优良特性。

主权项

一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、N+衬底(2)、N‑漂移区(3)和金属化源极(13)；所述N‑漂移区(3)上层具有N‑型轻掺杂区(9)、P型掺杂区(11)、P+重掺杂区(12)和N+重掺杂区(10)；所述P+重掺杂区(12)和N+重掺杂区(10)的上表面与金属化源极(13)接触，所述N+重掺杂区(10)位于两侧的P+重掺杂区(12)之间并与其相互接触；所述P型掺杂区(11)位于P+重掺杂区(12)的正下方并与其相互接触；所述N‑型轻掺杂区(9)位于N+重掺杂区(10)的正下方并与其相互接触；所述N‑漂移区(3)还具有槽型栅电极和体内场板(6)，所述槽型栅电极沿垂直方向依次贯穿N+重掺杂区(10)和N‑型轻掺杂区(9)后延伸入N‑漂移区(3)中；所述槽型栅电极包括控制栅电极(4)、屏蔽栅电极(5)、第一介质材料(7)和第二介质材料(8)，其中第一介质材料(7)的上表面与金属化源极(13)接触，控制栅电极(4)位于第一介质材料(7)中；所述第二介质材料(8)位于第一介质材料(7)的正下方并与其相互接触，所述屏蔽栅电极(5)位于第二介质材料(8)中，屏蔽栅电极(5)的上表面与第一介质材料(7)接触；所述体内场板(6)沿垂直方向依次贯穿P+重掺杂区(12)和P型掺杂区(11)后延伸入N‑漂移区(3)中；所述体内场板(6)的上表面与金属化源极(13)接触，体内场板(6)的上部侧面被第一介质材料(7)包围，体内场板(6)的下部侧面和底部被第二介质材料(8)包围；所述屏蔽栅电极(5)和金属化源极(13)短接；当器件正向导通时，控制栅电极(4)接正电位，金属化漏极(1)接正电位，金属化源极(13)接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极(4)和金属化源极(13)短接且接零电位，金属化漏极(1)接正电位。