[发明专利]红外非线性光学晶体CsZn4Ga5S12及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201610705013.8 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106087063A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈玲;林华;吴立明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;牛艳玲 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种红外非线性光学晶体，其具有如下所示的分子式：CsZn4Ga5S12。该红外非线性光学晶体的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明所述的新型红外非线性光学晶体，具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应和高的激光损伤阈值，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的6.5倍且其激光损伤阈值是AgGaS2的36倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本申请所提供的制备红外非线性光学晶体的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 非线性 光学 晶体 cszn sub ga 12 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种红外非线性光学晶体，其特征在于，所述晶体具有如下所示的分子式：CsZn4Ga5S12。
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