[发明专利]一种锗硅TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201610704833.5 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106323713B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 高林;邱燕蓉;袁安东 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锗硅TEM样品的制备方法，包括：提供一含有锗硅区域的半导体器件衬底，将衬底放入FIB反应腔中，找到含有锗硅区域的目标区域；在目标区域上沉积金属保护层；设置I‑Beam电压、电流参数，将衬底进行翻转，采用所设定的离子束轰击目标区域的两侧；逐渐减小I‑Beam轰击样品的电流来切割减薄目标区域两侧，直至目标区域的硅衬底全部为非晶状态，而锗硅区域的状态保持不变，从而得到减薄后的锗硅TEM样品，本发明可以有效避免硅衬底区域的衍射衬度对锗硅区域形貌的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 目标区域 衬底 硅衬底 减薄 制备 半导体器件 离子束轰击 沉积金属 电流参数 区域形貌 衍射衬度 逐渐减小 状态保持 保护层 反应腔 翻转 放入 非晶 轰击 切割 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一含有锗硅区域的硅衬底，将硅衬底放入FIB反应腔中，找到含有锗硅区域的目标区域；步骤02：在目标区域上沉积金属保护层；步骤03：设置I‑Beam电压、电流参数，将硅衬底进行翻转，采用所设定的电流轰击目标区域的两侧；步骤04：逐渐减小I‑Beam轰击样品的电流来切割减薄目标区域两侧，直至目标区域的硅衬底全部为非晶状态，而锗硅区域的状态保持不变，从而得到减薄后的锗硅TEM样品；具体包括：逐渐减小I‑Beam轰击样品电流来切割减薄目标区域两侧，使目标区域的厚度达到第一厚度；然后，继续逐渐减小I‑Beam轰击样品电流来继续切割减薄目标区域两侧，直至目标区域的衬底全部为非晶状态；再在E‑Beam下观测锗硅TEM样品，通过样品透光度判断样品是否达到所设定的目标厚度；若未达到，则继续逐渐减小I‑Beam轰击样品电流来继续切割减薄目标区域两侧。
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