[发明专利]一种硅基准三维纳米结构有序阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201610704386.3 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106315503A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周建华;张力;王阳阳 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 陈卫,禹小明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基准三维纳米结构有序阵列及其制备方法，所述的准三维纳米结构为纳米级的两头大中间小的柱状结构，所述的柱状结构的两头的直径和柱状结构的中间的直径的比例为3~20：1。与现有的硅基纳米有序结构阵列相比，本发明的硅基准三维纳米结构有序阵列具有更复杂的准三维结构，该结构高度有序、高度精密、尺寸极小、结构可控，具有特殊的光学、电学性质，在电子信息、太阳能电池、生化传感等领域有重要价值；本发明通过调整反应离子刻蚀工艺，实现了结构更复杂的硅基准三维纳米结构有序阵列的制备，并能可控地调节纳米结构的尺寸；本发明提供的硅基准三维纳米结构有序阵列，在光电器件、传感芯片等方面具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基准 三维 纳米 结构 有序 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基准三维纳米结构有序阵列，其特征在于，所述的准三维纳米结构为纳米级的两头大中间小的柱状结构。
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